对于半导体而言其禁带宽度为重要性质之一,除了光学的方法测量样品宏观禁带宽度之外在微观角度上可通过电子能量损失谱的低能损失区域进行精细的电子带间跃迁性质分析,同时还可对电子的带间跃迁类型例如直接或者间接跃迁做出定性判断。
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